作者：张鹏；校核：吴建宝；审核：韩婧琦
2026年10月26日，复拓科学仪器（苏州）有限公司研发总监、高级工程师陈小林走进数理与统计学院《固体物理导论》课堂，为2024级光电信息科学与工程专业学生作专题讲座，将半导体制程工艺与固体物理知识点逐一关联。
陈小林以芯片制造核心工艺为主线展开讲解。在硅的氧化环节，他指出，热氧化速率和氧化层质量与固体物理原理紧密相连：硅晶体结构决定氧化剂扩散的各向异性，氧化体积膨胀引入的应力调制界面态密度，氧化层固定电荷与界面陷阱直接影响MOS器件阈值电压。在光刻环节，他围绕光刻胶的光敏响应与图形转移精度，说明光酸产生剂的激发扩散、曝光后烘焙的分子迁移、显影溶解度的选择性调控，均与能带跃迁、载流子输运及非晶态材料结构弛豫密切相关。在刻蚀制模环节，他重点介绍等离子体刻蚀中离子轰击与化学反应的协同机制，指出刻蚀选择比与各向异性的调控本质上依赖材料表面键能、晶面取向与缺陷密度的差异，而高能离子注入引起的晶格损伤与退火愈合则需借助辐照效应与退火动力学理论描述。
互动环节中，陈小林鼓励同学们将课堂上的能带图、缺陷模型与产线工艺参数窗口对应起来，在国产半导体装备迭代升级中找准专业定位。此次企业专家进课堂活动将抽象的固体物理概念与真实半导体制程相结合，帮助学生进一步拓展专业学习和职业发展的视野。
