平云霞
发布时间: 2023-06-15 浏览次数: 530

一、个人信息

姓名:平云霞

职称:教授

专业:光学工程

学历层次:博士研究生

办公室地点:行政楼1218室

电子邮箱:xyping@sues.edu.cn

研究方向:光电材料

个人主页:http://faculty.sues.edu.cn/_s2121/main.psp

二、教育经历

2009.06毕业于华中科技大学光学专业获博士学位

2006.07毕业于华中科技大学光学专业获硕士学位

2004.07 毕业于鲁东大学物理学专业获学士学位

三、工作经历

2022.01-至今上海工程技术大学数理与统计学院教授

2017.10-2021.12上海工程技术大学数理与统计学院副教授

2012.01-2017.09上海工程技术大学基础教学学院副教授

 2009.07-2011.12上海工程技术大学基础教学学院讲师

四、代表性论著

期刊论文:

1.Jun Yang,Yunxia Ping*,Wei Liu,Wenjie Yu , Zhongying Xue , Xing Wei , Aimin Wu,  BoZhang*. Ti interlayer mediated uniform NiGe formation under low-temperature microwave annealing. Metals, 2021,11,488

2.Wei Liu, Yunxia Ping*, Jun Yang, Zhongying Xue , Xing Wei , Aimin Wu,  Wenjie Yu, Bo Zhang*. Reaction of titanium-modulated nickel with germanium-tin under microwave and rapid thermal annealing. Acta Physica Sinica, 2021,70,286

3.Kai Yong, Yunxia Ping*, Wei Liu, Jun Yang, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Aimin Wu, Bo Zhang*. Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2−xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation. Applied Physics Express. 2020,13,015505

4.Yunxia Ping*, Chunlei Hou, Chaomin Zhang, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Wei Peng, Zengfeng Di, Miao Zhang, Bo Zhang*. Ti mediated highly oriented growth of uniform and smooth Ni(SiGe) layer for advanced contact metallization. Journal of Alloys and Compounds. 2017,693,527

5.Xiaoran Meng, Yunxia Ping*, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Miao Zhang, Zengfeng Di, Bo Zhang*, Qingtai Zhao. Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature annealing. Chinese Physics B. 2017,26,098503

6.Yunxia Ping*, Manle Wang, Xiaoran Meng, Chunlei Hou, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Miao Zhang, Zengfeng Di, Bo Zhang*. Mechanism of NiSiGe epitaxial growth by Al interlayer mediation at 700。C. Acta Physica Sinica. 2016,65,036801

授权发明专利:

1.平云霞,侯春雷。一种使用NiTi合金外延生长NiGe 材料的方法。

授权专利号:ZL201410605211.8, 授权日期:2017.6

2.平云霞,侯春雷。一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe 材料的方法。

授权专利号:ZL201410605149.2, 授权日期:2017.5

3.平云霞,孟骁然。一种制作NiGeSn 材料的方法。

授权专利号:ZL201510977256.2, 授权日期:2018.11

五、代表性科研项目

1.国家自然科学基金青年项目61604094

2.国家自然科学基金专项基金11247311

3.国家自然科学基金专项基金11047190

4.上海市自然科学基金 14ZR1418300

5.中科院国家重点实验室开放课题 SKL201602

6.上海市教委科技创新一般项目 11YZ216

六、主要荣誉奖励

1. 荣获2011-2012年度上海工程技术大学“三八红旗手”称号

2. 荣获2013-2014年度上海工程技术大学优秀共产党员称号

3. 荣获2013-2014年度上海工程技术大学“五四青年”称号